Görsel mevcut değil
BCP55-6
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-223 60V 1000MA
BCP55-6 Hakkında
BCP55-6, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmış olan bu bileşen, 1.3W güç dissipasyonuna kapaklıdır. DC akım kazancı (hFE) 150mA ve 2V işletme koşullarında minimum 40 değerini sunar. 100MHz transition frekansı ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilmektedir. Maksimum 500mV doyum gerilimi (50mA base akımı, 500mA collector akımında) sayesinde düşük açılış kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve kontrol devrelerinde yer bulur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
1.3 W
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V