Görsel mevcut değil
BCP5310E6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 1A SOT-223
BCP5310E6327HTSA1 Hakkında
BCP5310E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistöre (BJT) ait tekil komponenttir. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maximum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 2W maksimum güç dağıtma kapasitesi ve 125MHz transition frequency ile sinyal amplifikasyon ve switching işlemlerinde kullanılır. SOT-223 (TO-261-4) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, ses kontrol devreleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında tercih edilir. 150°C işletme sıcaklığına dayanıklı yapısı ile endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V