Görsel mevcut değil
BCP51E6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 1A SOT-223
BCP51E6327HTSA1 Hakkında
BCP51E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 45V kolektör-emitör gerilimi ve 1A kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 125MHz transition frequency ve 2W güç derecelendirilmesi ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 150mA'de 2V'ta minimum 40 değerindedir. 500mV saturasyon gerilimi ile düşük enerji kaybı sağlar. Genel amaçlı sinyal transistörü olarak, gerilim düzenleyicileri, ses frekansı amplifikatörleri ve dijital anahtarlama devrelerinde uygulanabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V