Görsel mevcut değil
BC879,112
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92
BC879,112 Hakkında
BC879,112 bir NPN Darlington transistördür ve NXP Semiconductors tarafından üretilmektedir. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80V kolektör-emitter gerilimi ve 1A kolektör akımı ile çalışır. 2000 minimum DC akım kazancı (hFE @ 500mA, 10V) ile karakterize edilen transistör, düşük giriş akımında yüksek çıkış akımı sağlayan Darlington konfigürasyonuna sahiptir. 200MHz geçiş frekansı ve maksimum 830mW güç dağıtımı kapasitesiyle hafif sinyal ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 50nA maksimum kolektör cutoff akımı ile düşük sızıntı özelliği gösterir. Operating sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Uygulamalar arasında ses amplifikasyonu, motor kontrolü, röle sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri yer alır. Not: Ürün yaşlanmış (obsolete) durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
830 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V