Görsel mevcut değil
BC859C
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-23 30V 100MA
BC859C Hakkında
BC859C, Diotec Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 (TO-236-3) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı ve 30V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. 250mW güç sınırlaması içerisinde, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C) işletim yapabilir. 420'nin minimum DC Current Gain (hFE) değeri ve 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. Düşük seviye sinyal amplifikasyonu, anahtar (switch) işlemler ve DC motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. Küçük boyutu nedeniyle kompakt elektronik devreler ve PCB tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V