Görsel mevcut değil
BC859BLT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
BC859BLT1G Hakkında
BC859BLT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup SO-23 yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. 30V kolektör-emitter kırılma voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı özellikleri ile düşük güçlü sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 300mW maksimum güç dağılımı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde ses amplifikasyon, RC osilatör, ışık algılama devreleri ve genel amaçlı düşük seviye sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Dipolar transistör özellikleri ile gürültü ve sıcaklık kararlılığı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V