Görsel mevcut değil
BC858CLT3G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 100MA SOT23-3
BC858CLT3G Hakkında
BC858CLT3G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 30 V kollektör-emitter gerilimi ve 300 mW güç tüketim kapasitesine sahip bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve darbe amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Düşük kesme akımı (15nA max ICBO) ve yeterli akım kazancı (minimum 420 @ 2mA) ile güç tüketiminin az olduğu devreler, ses amplifikatörleri ve dijital kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V