Görsel mevcut değil
BC858CE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
BC858CE6327HTSA1 Hakkında
BC858CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, maksimum 30V Vce breakdown voltajı ve 100mA kolektör akımına sahiptir. 250MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. DC current gain (hFE) değeri 2mA/5V koşulunda minimum 420'dir. 330mW maksimum güç dağıtma kapasitesi ile düşük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve genel amaçlı BJT uygulamalarında yer alır. Operating temperature range'i 150°C (TJ) ile sınırlı olup, düşük gürültü ve düşük güç tüketimi gerektiren devrelerde tercih edilebilir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V