Görsel mevcut değil
BC858BE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
BC858BE6327HTSA1 Hakkında
BC858BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen düşük güçlü PNP tipinde bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA kolektör akımı ve 30V reverse bias darbeye dayanıklılığına sahiptir. 250MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 330mW maksimum güç dağıtımı ve 220 minimum DC akım kazancı (2mA, 5V'de) ile sinyalin kontrolü ve yönetiminde tercih edilir. Tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve düşük sinyal uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Kompakt yapısı nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında ekonomik çözüm sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V