Görsel mevcut değil
BC858B-QR
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PREBIAS NPN/PNP
BC858B-QR Hakkında
BC858B-QR, Nexperia tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 100mA kolektör akımı ve 100MHz transit frekansı ile sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 220 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 30V kolektör-emitter kesilim gerilimi, genel amaçlı ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilmesini sağlamaktadır. Maksimum 250mW güç tüketimi ile ön yüklemeli (prebias) yapılandırmalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V