Görsel mevcut değil
BC858B
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
BC858B Hakkında
BC858B, Rochester Electronics tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100 mA'e kadar kolektör akımı ve 100 MHz transition frekansı ile çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 250 mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. 30V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile uygun şekilde tasarlanan devrelerde kullanılabilir. Düşük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, ses frekansı ve RF devreleri, genel amaçlı lojik devreleri ve sürücü devreleri gibi çeşitli elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V