Görsel mevcut değil
BC857CQBZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BC857CQB/SOT8015/DFN1110D-3
BC857CQBZ Hakkında
BC857CQBZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek kazançlı silikon NPN BJT transistördür. DFN1110D-3 (3-XDFN Exposed Pad) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, düşük sinyalleme uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum kolektör akımı, 45V VCEO darbelenme gerilimi ve 340mW güç dağıtımı kapasitesi ile dizayn edilmiştir. 420'nin minimum DC akım kazancı (hFE) ile anahtarlama ve düşük seviye sinyal amplifikasyonu devrelerinde uygulanabilir. 150°C çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Taşıyıcı paket wettable flank özelliğine sahip olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Market
Power - Max
340 mW
Supplier Device Package
DFN1110D-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V