Görsel mevcut değil
BC857CE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3
BC857CE6327HTSA1 Hakkında
BC857CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount SO-236-3/SOT23-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 45V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışmaya uygun olan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 250MHz geçiş frekansı ve minimum 420 hFE DC akım kazancı (2mA, 5V'da) ile koşullarda performans gösterir. Maksimum 330mW güç tüketimi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığına sahiptir. Düşük kollektör kesme akımı (15nA ICBO) sayesinde cihazlarda minimum sızıntı akımı oluşturur. Ses amplifikatörleri, kontrol devreleri, sensör uygulamaları ve genel elektronik cihazlardaki anahtarlama işlemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V