Görsel mevcut değil
BC857C/DG/B4R
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR GEN PURP
BC857C/DG/B4R Hakkında
BC857C, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 100 mA maksimum kollektör akımı, 100 MHz transition frequency ve 45 V maksimum Vce(br) breakdown voltajı ile işaretlenmiştir. 2 mA, 5V koşullarında minimum 125 DC current gain (hFE) sağlar. 250 mW maksimum güç derecelendirmesi ve -40°C ile +150°C arasında çalışan sıcaklık aralığı ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, genel sinyal işleme ve aşırı akım koruma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V