Görsel mevcut değil
BC857C/DG/B3,215
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC857C/DG/B3,215 Hakkında
BC857C, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 250 mW güç disipasyon kapasitesi ile küçük sinyallerin işlenmesine ve lojik devrelerinin kontrol edilmesine uygundur. 100 MHz geçiş frekansı sayesinde radyo frekans ve hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 45V kolektör-emiter kırılma gerilimi, çeşitli voltaj seviyelerindeki sistemlere entegrasyon sağlar. Düşük 650 mV doyum gerilimi ile enerji verimliliği sunar. Tüketici elektroniği, ses amplifikasyonu, otomasyon ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V