Görsel mevcut değil
BC857BQBZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BC857BQB/SOT8015/DFN1110D-3
BC857BQBZ Hakkında
BC857BQBZ, Nexperia tarafından üretilen, Surface Mount DFN1110D-3 paketinde sunulan PNP bipolar transistördür. 100mA maksimum collector akımı ve 340mW güç dağıtma kapasitesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanıma uygundur. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile gerilim amplifikasyon devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sinyal işleme sistemlerinde tercih edilir. 45V collector-emitter breakdown voltajı ile güvenli çalışma aralığı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve audio amplifikatör uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Market
Power - Max
340 mW
Supplier Device Package
DFN1110D-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V