Görsel mevcut değil
BC857BQAZ
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN
BC857BQAZ Hakkında
BC857BQAZ, NEXPERIA tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface mount 3-XDFN paketinde sunulan bu transistör, 280mW maksimum güç tüketimine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 220 değeri (2mA, 5V koşullarında) ile dengeli amplifikasyon sağlar. 400mV saturation voltajı (5mA base akımında, 100mA collector akımında) ile düşük ön voltaj düşümü gösterir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, ses/radyo frekans amplifikatörleri, sinyal anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sayısal/analog uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
280 mW
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V