Görsel mevcut değil
BC857BLP4-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006H4-3
BC857BLP4-7B Hakkında
BC857BLP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) bileşenidir. Surface mount DFN1006 paketinde sunulan bu transistör, 45V Vce(br)dss ile 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. 100MHz transition frequency ve 250mW güç derecelendirmesiyle, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 220 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 650mV saturasyon gerilimi ile düşük seviye sinyal işleme, ses amplifikasyonu, LED sürme ve entegre devre lojik kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığıyla endüstriyel ve geniş sıcaklık aralığında kullanılan tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V