Görsel mevcut değil
BC857BLP4-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN
BC857BLP4-7 Hakkında
BC857BLP4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 45V breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama ve amplifikasyon bileşenidir. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 250mW güç yeteneği ile sinyal işleme, ses amplifikasyonu, röle kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır. Surface mount 3-XFDFN (X2-DFN1006-3) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 100MHz geçiş frekansı ve 220 tipik DC akım kazancı (hFE) ile hafif sinyal düzeyinde etkili performans gösterir. Kompakt form faktörü sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V