Görsel mevcut değil
BC857BE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3
BC857BE6327HTSA1 Hakkında
BC857BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT23-3 (TO-236-3) paketinde sunulan bu transistör, 45V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 100mA maksimum kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 220'dir (2mA, 5V koşullarında). Maksimum 330mW güç dissipasyonu kapasitesi ile sinyaleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 650mV doyum voltajı (5mA, 100mA koşullarında) ve 15nA ICBO ile karakterize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek entegrasyona sahip cihazlarda yer tasarrufu gerektiren uygulamalar için uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V