Görsel mevcut değil
BC857B/DG/B4R
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR GEN PURP
BC857B/DG/B4R Hakkında
BC857B/DG/B4R, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve yükselteç (amplifier) işlevlerinde kullanılır. 100 mA maksimum kolektör akımı, 45 V collector-emitter breakdown voltajı ve 250 mW maksimum güç disipasyonu ile sinyal işleme, ses amplifikasyonu, kontrol devreleri ve mikro-controller uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 100 MHz transition frequency sayesinde yüksek frekans anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük maliyet ve kompakt yapısı nedeniyle endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde standart bir seçimdir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V