Görsel mevcut değil
BC857AQAZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 100MA DFN1010D-3
BC857AQAZ Hakkında
BC857AQAZ, Nexperia tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 3-XDFN Exposed Pad (DFN1010D-3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bir transistördür. 100MHz transition frequency ve 125 minimum DC gain (hFE) özellikleriyle hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 280mW maksimum güç seviyesi, küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, ses frekansı amplifikatörleri ve genel amaçlı düşük güç uygulamalarında yer bulur. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
280 mW
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V