Görsel mevcut değil
BC857AE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3
BC857AE6327HTSA1 Hakkında
BC857AE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal uygulamaları, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon işlemlerinde kullanılır. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 45V kollektör-emitter durdurma gerilimi ile çalışabilir. 250 MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. 330 mW maksimum güç tüketimi ve 125 minimum DC akım kazancı ile ses frekansı ve RF devrelerde tercih edilir. Düşük collector cutoff akımı (15nA) ve minimize edilmiş leakage current'ı ile enerji tasarrufu sağlayan devrelere entegre edilebilir. Notasyonu kullanılan ürün artık yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V