Görsel mevcut değil
BC856BWE6327BTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
BC856BWE6327BTSA1 Hakkında
BC856BWE6327BTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipinde bipolar junction transistörüdür (BJT). SOT-323 (SC-70) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 65V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 250MHz geçiş frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 220 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 2mA/5V koşullarında belirtilmiştir. Maksimum 250mW güç tüketimi ve 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanabilir. 650mV maksimum Vce saturation gerilimi ile düşük kaybı anahtarlama özelliği sağlar. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri, hızlı anahtarlama uygulamaları ve RF modülleri gibi elektronik tasarımlarda yaygın olarak kullanılır. Kompakt boyutu ve düşük güç tüketimi mobil ve IoT cihazlar için idealdir. Not: Bu model üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V