Görsel mevcut değil
BC856BM3T5G
BC856BM3T5G Hakkında
BC856BM3T5G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-723 yüksek yoğunluklu yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 65V'luk Vce(br) duro ve 100mA maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Düşük güç tüketimi (265mW max) ve geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılır. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, impedans eşleştirme ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
265 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V