Görsel mevcut değil
BC850CE6359HTMA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PREBIAS PNP SOT23
BC850CE6359HTMA1 Hakkında
BC850CE6359HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 100mA maximum collector akımı ve 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 420 minimum DC current gain (hFE @ 2mA, 5V) sağlayan bu transistör, RF sinyal amplifikasyonu, ses frekansı amplifikasyonu ve dijital devre anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. 45V breakdown voltajı ve 330mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile genel amaçlı analog ve dijital devrelerde geniş kullanım alanına sahiptir. Son satın alma (Last Time Buy) statüsünde olan bu komponent, yüksek integrasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yaygın olarak yer almaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V