Görsel mevcut değil
BC850BE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
BC850BE6327HTSA1 Hakkında
BC850BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 45V kolektör-emitter gerilimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 250MHz transition frequency'sine sahip olan BC850, düşük gürültü özelliğiyle ses devreleri, RF uygulamaları ve kontrol devrelerinde tercih edilir. Maximum 330mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlara uyumludur. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir; alternatif modern transistörler değerlendirilmelidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V