Görsel mevcut değil
BC850B-AQ
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-23 45V 100MA
BC850B-AQ Hakkında
BC850B-AQ, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile karakterize edilen bu bileşen, 250mW güç dağıtımına sahiptir. 200 minimum DC akım kazancı (2mA, 5V koşullarında) ve 300MHz transition frekansı ile orta frekans uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Düşük cutoff akımı (15nA) ve 600mV saturation gerilimi sayesinde anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerine uygulanır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) endüstriyel ve uzay uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Hafif bir pakette sunulan bu transistör, kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarında ideal seçimdir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V