Görsel mevcut değil
BC848CT116
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 0.1A SST3
BC848CT116 Hakkında
BC848CT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu işlevleri görmek üzere tasarlanmıştır. 30V kolektör-emitör breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile, genel amaçlı sinyal işleme, RF amplifikasyon ve dijital anahtarlama devrelerinde kullanılır. 200MHz transition frequency ve 420 minimum DC akım kazancı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında uygun performans sağlar. 350mW maksimum güç dissipasyonu ve 150°C çalışma sıcaklığı ile, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SST3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V