Görsel mevcut değil
BC848CE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
BC848CE6327HTSA1 Hakkında
BC848CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistor (BJT) olarak tasarlanmış bir elektronik komponenttir. SOT-23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 30V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 250MHz transition frequency'si ile orta hızlı switching uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 420 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sağlam bir amplifikasyon sağlar. Maksimum 330mW güç tüketimi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile çeşitli uygulamalarda yer alabilir. Küçük sinyal amplifikasyon, düşük güçlü switching devreleri ve genel amaçlı elektronik tasarımlarda yaygın olarak kullanılır. Paket maliyeti düşük ve montajı kolaydır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V