Görsel mevcut değil
BC847CQC-QZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BC847CQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
BC847CQC-QZ Hakkında
BC847CQC-QZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 3-XDFN DFN1412D-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum 100mA collector akımı, 100MHz transition frequency ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında çalışabilir. 2mA/5V koşulunda 420 minimum DC current gain sağlayan transistör, 360mW maksimum güç tüketimi ile entegre devrelerin sürücü aşamalarında, sinyal işlemede ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. SMD paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
360 mW
Supplier Device Package
DFN1412D-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V