Görsel mevcut değil
BC847CQBZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BIPOLAR DISCRETES
BC847CQBZ Hakkında
BC847CQBZ, Nexperia tarafından üretilen tekil NPN bipolar transistördür. Surface mount DFN1110D-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100 mA maksimum kolektör akımı, 45 V kırılma gerilimi ve 100 MHz geçiş frekansı ile orta hız uygulamalarına uygundur. 150°C'ye kadar çalışabilen ve 340 mW güç dissipe edebilen bu transistör, endüstriyel kontrol, tüketici elektroniği ve iletişim cihazlarında yaygın olarak tercih edilir. Minimum 420 hFE kazancı ile kararlı amplifikasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
340 mW
Supplier Device Package
DFN1110D-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V