Görsel mevcut değil
BC847C/DG/B3,215
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC847C/DG/B3,215 Hakkında
BC847C/DG/B3,215, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri yerine getirir. 100 mA maksimum kolektör akımı, 45 V maksimum kolektor-emitör breakdown voltajı ve 100 MHz geçiş frekansı ile orta frekanslı devrelerde kullanım için uygundur. 420 minimum DC akım kazancı (hFE) ve düşük doyma voltajı (400 mV) ile verimli çalışma sağlar. Gürültü değeri düşük olan bu bileşen, ses amplifikatörleri, RF alıcıları, darbe devrelerinde ve genel logic kontrol uygulamalarında tercih edilir. 250 mW maksimum güç kapasitesi ile sınırlı uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V