Görsel mevcut değil
BC847BU3HZGT106
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (
BC847BU3HZGT106 Hakkında
BC847BU3HZGT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN genel amaçlı bipolar junction transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 100mA maksimum kolektör akımı ve 45V maksimum collector-emitter geriliminde çalışır. 200MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 200mW maksimum güç derecelendirmesi ile sınırlı güç bütçeli devrelere uygun tasarlanmıştır. Minimum 200 hFE DC akım kazancı (2mA, 5V'de) ile güvenilir amplifikasyon özellikleri sunar. Gümrük kontrol sistemleri, sayaç devreler, ses işleme ve genel sinyal anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V