Görsel mevcut değil
BC847BQAZ
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NOW NEXPERIA BC847BQA - SMALL SI
BC847BQAZ Hakkında
BC847BQAZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 100mA maksimum kolektör akımı, 45V VCE breakdown voltajı ve 100MHz transition frekansı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 3-XDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, gürültü figürü düşük analog uygulamalar, ses frekansı amplifikatörleri, RF ön aşamaları ve dijital mantık arayüzleme gibi uygulamalarda tercih edilir. 280mW maksimum güç dağılımı ile sınırlı güç bütçeli tasarımlara uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
280 mW
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V