Görsel mevcut değil
BC847BLP4-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006H4-3
BC847BLP4-7B Hakkında
BC847BLP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. 45V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile radyo frekansı ve ses frekansı devrelerinde çalışmaya uygundur. 250mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi, -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında 600mV saturation voltajı karakteristikleriyle sahiptir. 3-pin X2-DFN1006 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarımları gerektiren taşınabilir cihazlar, ses amplifikatörleri, RF devreler ve genel amaçlı dijital lojik arabirimleri için tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V