Görsel mevcut değil
BC847BFAQ-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- GENERAL PURPOSE TRANSISTOR X2-DF
BC847BFAQ-7B Hakkında
BC847BFAQ-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür. 3-XFDFN surface mount pakajında sunulan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 100mA maksimum kollektör akımı, 45V collector-emitter gerilim daya kapasitesi ve 100MHz transition frequency ile sinyal işleme, ses amplifikasyonu, lojik devreler ve microcontroller arayüzü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 435mW güç tüketimi desteğiyle endüstriyel ve geniş sıcaklık aralığında çalışan sistemlerde kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
435 mW
Supplier Device Package
X2-DFN0806-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V