Görsel mevcut değil
BC847B-E6327
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
BC847B-E6327 Hakkında
BC847B-E6327, Rochester Electronics tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, 100mA kollektor akımı ve 250MHz transition frequency ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 330mW maksimum güç tüketimi ile, DC current gain değeri 2mA, 5V koşullarında 200'dür. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, ses amplifikatörleri, osilatörler, darbe şekillendirme devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V