Görsel mevcut değil
BC847AE6327
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
BC847AE6327 Hakkında
BC847AE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi genel amaçlı bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100 mA kolektör akımı ve 330 mW maksimum güç yeteneği ile küçük güç elektronik devrelerinde tercih edilir. 250 MHz transition frekansı sayesinde radyo frekans ve yüksek hızlı anahtarlama devrelerinde de uygulanabilir. 110 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 45V kolektör-emiter kırılma voltajı ile çeşitli sinyali işleme ve kontrol devreleri tasarımında kullanılabilir. Saat ve zaman ölçme devrelerinden, ses amplifikatörlerine kadar geniş uygulama alanı bulunmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V