Görsel mevcut değil
BC846BM3T5G
BC846BM3T5G Hakkında
BC846BM3T5G, onsemi tarafından üretilen düşük güçlü NPN bipolar junction transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 65V collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 100MHz transition frequency ve 200 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 265mW maksimum güç dissipasyonu ile düşük güç tüketimi gerektiren portatif cihazlar, ses amplifikatörleri, lojik devre uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
265 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V