Görsel mevcut değil
BC846BLP4-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3
BC846BLP4-7B Hakkında
BC846BLP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük güçlü NPN bipolar junction transistörüdür. X2-DFN1006-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 65V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çeşitli gümrük kaydı ve tüketici elektronik devrelerinde yer alır. 300MHz transistion frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 200 minimum DC current gain değeri (hFE @ 2mA, 5V) güvenilir amplifikasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 410mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile düşük güç devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
410 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V