Görsel mevcut değil
BC81725MTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BC817 - NPN EPITAXIAL SILICON TR
BC81725MTF Hakkında
BC817 NPN epitaxial silicon transistör, yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 800mA maksimum kolektör akımı, 45V kırılma gerilimi ve 100MHz geçiş frekansı özellikleri sayesinde, ses frekansı ve radyo frekansı devrelerinde kullanılabilir. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal işleme, anahtarlama, ve amplifikasyon fonksiyonlarında tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında, 310mW güç kaybı ile çalışabilir. Profesyonel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir transistördür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
310 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V