Görsel mevcut değil
BC817-25QBZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BC817-25QB/SOT8015/DFN1110D-3
BC817-25QBZ Hakkında
BC817-25QBZ, Nexperia tarafından üretilen düşük güç NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. Maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V VCEO breakdown voltajı ile genel amaçlı sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve minimum 160 hFE kazancı ile hızlı işaretleme ve düşük sinyal amplifikasyonu gerektiren devreler için uygundur. 350mW maksimum güç dağılımı ve 150°C işletme sıcaklığı ile endüstriyel ortamda çalışabilir. Surface mount DFN1110D-3 paketinde sunulan bu transistör, otomotiv, tüketici elektroniği ve haberleşme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
DFN1110D-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V