Görsel mevcut değil
BC817-25
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-23 45V 800MA
BC817-25 Hakkında
BC817-25, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. Maksimum 800 mA kollektör akımı ve 45 V çökertici-emitör breakdown gerilimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100 MHz geçiş frekansı, 160 minimum DC akım kazancı (100 mA, 1V'de) ve 310 mW maksimum güç derecelendirmesi ile anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında uygulanmasını sağlar. Genellikle ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
310 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V