Görsel mevcut değil
BC80825WE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 25V 0.5A SOT-323
BC80825WE6327HTSA1 Hakkında
BC80825WE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-323 (SC-70) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maximum 500mA collector akımı ve 25V breakdown voltajı ile çalışabilen bu transistör, 150°C'ye kadar işletim sıcaklığında dayanıklılık gösterir. 200MHz transition frequency ve minimum 160 DC current gain (hFE) değerleriyle düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maximum 250mW güç disipasyonuna sahip olan bileşen, genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilmektedir. Küçük yüzey montaj paketi sayesinde kompakt elektronik tasarımlarda yer kazandıran pratik bir çözüm sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V