Görsel mevcut değil
BC807-40QBZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BC807-40QB/SOT8015/DFN1110D-3
BC807-40QBZ Hakkında
BC807-40QBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DFN1110D-3 (3-XDFN Exposed Pad) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 250 (minimum) DC akım kazancı (hFE) ve 80MHz geçiş frekansı sayesinde düşük-orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum güç tüketimi 350mW, maksimum doyum voltajı 700mV'tur. ICBO (dış akım) 100nA ile kontrol edilmiştir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, sinyal işleme ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
DFN1110D-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V