Görsel mevcut değil
BC807-40QB-QZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BC807-40QB-Q/SOT8015/DFN1110D-
BC807-40QB-QZ Hakkında
BC807-40QB-QZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. 500mA maksimum kollektör akımı, 45V maksimum Vce(br) diyelectric dayanımı ve 350mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır. 80MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uyumludur. DFN1110D-3 yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarında kullanılır. DC gain minimum 250 (100mA, 1V koşulunda), Vce saturation maksimum 700mV'dir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. Ses amfifikatörleri, anahtarlama devreleri, düşük sinyal RF uygulamaları ve güç kaynağı yönetimi gibi alanlarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
DFN1110D-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V