Görsel mevcut değil
BC807-25LT3G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BC807-25LT3G Hakkında
BC807-25LT3G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP epitaxial silicon transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V VCE(br) dış kırılma gerilimi ile çalışabilir. 160 (minimum) DC akım kazancı ve 100MHz geçiş frekansı ile düşük frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C işletim sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 300mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı bipolar transistör uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V