Görsel mevcut değil
BC639,112
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO-92
BC639,112 Hakkında
BC639,112 NXP tarafından üretilen TO-92 paketli NPN tip bipolar junction transistördür. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 830mW maksimum güç disipasyonu, 180MHz geçiş frekansı ve 63 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle donatılmıştır. Ses amplifikasyonu, sinyal anahtarlaması ve genel amaçlı switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. Through-hole montaj tipi ile entegre edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
830 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V