Görsel mevcut değil
BC639_J35Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO-92
BC639_J35Z Hakkında
BC639_J35Z, onsemi tarafından üretilen TO-92 paketli NPN bipolar junction transistördür. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maximum collector akımı ile düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile audio ve RF frekans uygulamalarında çalışabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışan bu bileşen, 1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 40 değeriyle 150mA collector akımında belirtilmiştir. Genel sinyal işleme, aydınlatma kontrolü ve küçük güç anahtarlama devrelerinde tercih edilen bir transistördür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V